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| 1 | High-resolution characterization of hexagonal boron nitride coatings exposed to aqueous and air oxidative environments显示文摘六角形的硼氮化物(h-BN ) 被相信由于它的绝缘的性质比 graphene 把更好的钝化提供给金属性的表面,它便于堵住电子的流动,从而阻止流电的反应的出现。不过,当 h-BN-protected 材料暴露于水的环境时,这不能是盒子。在这个工作,我们分析了暴露于 H 2 O 2 和大气的条件。当暴露了到 H 2 O 2 。多层的 h-BN 提供了保护的好度。单层 h-BN 被发现也在空气气氛无效。甚至 10-15 层厚的 h-BN 栈不能完全在考虑下面保护金属的表面。由联合钻电子光谱学和第二等的离子团 spectrometry 技术,我们观察到氧能通过 h-BN 栈的谷物边界扩散到达金属性的底层。因为这个过程的散开的性质,一旦一个浸透的状态被到达,幸好,氧化区域没与时间增加。这成为多层(不单层) h-BN 一个合适的长期的氧化障碍。氧渗入不能被 X 光检查光电子光谱学观察。这种技术不能估计材料的更深的层的化学作文。因此,以前的报告,依靠了 XPS 分析 h-BN 和 graphene 的使钝化的性质,可能忽略了一些重要表面下的现象。在这研究获得的结果在水的媒介和暴露于空气环境的 h-BN-coated 金属的降级动力学提供新卓见进单音、多层的 h-BN 的使钝化的性质。 | Lanlan Jiang Na Xiao Bingru Wang Enric Grustan-Gutierrez Xu Jing Petr Babor Miroslav Kogbal Guangyuan Lu Tianru Wu Haomin Wang Fei Hui Yuanyuan Shi Bo Song Xiaoming Xie Mario Lanza | 2017 | Nano Research2017，10，6： | 2 |
| 2 | Electrical and mechanical performance of graphene sheets exposed to oxidative environments显示文摘当暴露了到不同媒介时, Graphene 涂层被显示了保护内在的材料免受氧化的伤害。然而,在在房间温度的空中的 graphene 的使钝化的性质,对应于许多电子设备的操作条件,仍然保持不清楚。在这个工作,我们为时间的长时期在房间温度在空中分析 graphene/Cu 样品的氧化动力学(从 1 天到 113 天)用扫描电子显微镜学,传导性的原子力量显微镜学和钻电子显微镜学,并且我们把结果与那些为在 H2O2 对待的类似的样品获得了作比较。我们不同于暴露于 H2O2,在 graphene 领域边界的氧的累积在演变在的 graphene 表观察那一很控制了并且进步方法,在空中的 graphene 的本地氧化以一种混乱方式发生。在两个盒子中,在 graphene 领域边界形成的氧化物小丘能宣传到领域直到到达限制宽度和高度。我们的结果证明沿着域边界的内在的材料的本地氧化能戏剧性地减少粗糙,传导性,机械抵抗和 graphene 表的摩擦特征,哪个还原剂整个设备的性能。 | Mario Lanza Yan Wang Teng Gao Albin Bayerl Marc Porti Montserrat Nafria Yangbo Zhou Guangyin Jing Yanfeng Zhang Zhongfan Liu Dapeng Yu Huiling Duan | 2013 | Nano Research2013，6，7： | 2 |
| 3 | Serologic response to hepatitis B vaccine with high dose and increasing number of injections in HIV infected adult patients显示文摘 | Mario Cruciani Carlo Mengoli Giovanni Serpelloni Andrea Lanza Maurizio Gomma Stefano Nardi Claudia Rimondo Francesco Bricolo Sandro Consolaro MariaTeresa Trevisan Oliviero Bosco | 2008 | Vaccine2008，，1： | 2 |
| 4 | High-Performance Silicon Photoanodes Passivated with Ultrathin Nickel Films for Water Oxidation显示文摘 | Michael J. Kenney Ming Gong Yanguang Li Justin Z. Wu Ju Feng Mario Lanza Hongjie Dai | 2013 | Science2013，，6160： | 1 |
| 5 | Human Serotonin Transporter Expression During Megakaryocytic Differentiation of MEG-01 Cells显示文摘 | Gino Giannaccini Laura Betti Lionella Palego Lara Schmid Laura Fabbrini Caterina Pelosini Claudia Gargini Ylenia Da Valle Mario Lanza Alessandro Marsili Margherita Maffei Ferruccio Santini Paolo Vitti Aldo Pinchera Antonio Lucacchini | 2010 | Neurochemical Research2010，，4： | 1 |
| 6 | N -Hydroxyindole-based inhibitors of lactate dehydrogenase against cancer cell proliferation显示文摘 | Carlotta Granchi Sarabindu Roy Alessio De Simone Irene Salvetti Tiziano Tuccinardi Adriano Martinelli Marco Macchia Mario Lanza Laura Betti Gino Giannaccini Antonio Lucacchini Elisa Giovannetti Rocco Sciarrillo Godefridus J. Peters Filippo Minutolo | 2011 | European Journal of Medicinal Chemistry2011，，11： | 1 |
| 7 | Ageing mechanisms and reliability of graphene-based electrodes显示文摘为下一代设备的灵活透明电极的发展在碳电子学研究作为主要话题被指定下一五年了。在迄今为止测试的材料, graphene 和 graphene 基于的所有候选人之中, nanocomposites 显示出高效。尽管一些早期的反氧化测试被报导了,估计基于碳的电极的可靠性的在里面深的变老研究以前从来没被执行过。在这个工作,我们在场估计 graphene 电极的变老的机制的造成分裂的方法论,它对另外的 carbonbased 和二维的材料也可扩展。在执行加速的氧化测试以后,我们用尽一切地分析把 nanoscale 和设备水平实验与 Weibull 概率的分析和通道水流模拟相结合的电极的收益,基于 Fowler-Nordheim/Direct-Tunneling 模型。我们的实验和计算表明极端薄的氧化物层能在 graphene 的太古的表面上被形成。我们份量上分析电极的性质上的这层的后果,并且在接口在传导模式观察了一个变化(从对 Schottky 欧姆) ,应该在未来的设计被考虑的效果基于 graphene 的设备。基于碳的设备的未来大量生产应该包括这里介绍的类似的可靠性研究,和方法论(包括加速的测试,描述并且建模) 可以帮助另外的科学家向工业设备生产从实验室原型移动。 | Yuanyuan Shi Yanfeng Ji Fei Hui Hai-Hua Wu Mario Lanza | 2014 | Nano Research2014，7，12： | 1 |
| 8 | Flavonoids as antioxidant agents: Importance of their interaction with biomem-branes显示文摘 | Antonella Saija Mario Scalese Maria Lanza | 1995 | Free Radical Biology and Medicine1995，19，4： | 1 |
| 9 | 用于二维半导体沟道晶体管的HfO_(2)/Sb_(2)O_(3)双层栅极介电层显示文摘The invention of the transistor 75 years ago by American scientists John Bardeen, William Shockley, and Walter Brattain at Bell Labs(New Jersey, USA), was the onset of a technological revolution that has changed the world [1]. | Mario Lanza | 2023 | Science Bulletin2023，68，22： | 0 |
| 10 | 电应力对HfO2栅介质漏电流的影响显示文摘使用导电原子力显微镜(Conductive Atomic Force Microscopy,CAFM)对电压应力作用下HfO2栅介质薄膜局域漏电点的形成和产生机制进行了研究,结果表明,在电压应力作用下,HfO2介质层中的缺陷被驱动和聚集形成导电通道,产生漏电点。漏电点产生的数量、漏电流大小均受电压应力和作用时间的影响。HfO2栅介质层中晶界处的缺陷密度高于晶粒处,导致晶界处更容易产生漏电通道。在栅介质击穿过程中,电压应力在诱发漏电流产生的同时产生焦耳热,对HfO2介质表面造成热损伤,导致击穿后HfO2介质表面出现凹陷。 | 张凯 郭晓雷 LANZA Mario 申自勇 | 2013 | 纳米科技2013，10，4： | 0 |
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