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15篇 您的检索式：作者名="GADLAGE"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Single event transient pulse widths in digital microcircuits 显示文摘	GADLAGE M J SCHRIMPF R D BENEDETTO J M	2004	IEEE Trans Nucl Sci2004，51，6：	1
	2	Single event transient pulse widths in digital microcircuits显示文摘	GADLAGE M J SCHRIMPF R D EATON P H		0，，06：	1
	3	Scaling trends in SET pulse widths in sub-100 nm bulk CMOS processes 显示文摘	GADLAGE M J AHLBIN J R NARASIMHAM B etal	2010	IEEE Transactions on Nu- clear Science2010，57，6：	1
	4	Single Event Transient Pulsewidths in Digital Microcircuits显示文摘	Gadlage M J Schrimpf R D Benedetto J M	2004	IEEE Trans on Nuclear Science2004，51，6：	1
	5	Digital Single Event Transient Trends With Technology Node Scaling 显示文摘	J M Benedetto P H Eaton D G Mavis M Gadlage	2006	IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE2006，53，6：	1
	6	Scal-ing trends in SET pulse widths in sub-100 nm bulk CMOS processes显示文摘	Gadlage M J Ahlbin J R Narasimham B		0，，06：	1
	7	Single event transient pulse widths in digital microcir-cuits显示文摘	Gadlage M J Schrimpf R D Benedetto J M		0，，06：	1
	8	Single event transient pulse widths in digital microcircuits 显示文摘	GADLAGE M J SCHRIMPF R D EATON P H	2004	IEEE Trans Nuel Sei2004，51，6：	1
	9	Murine hepatitis virus nonstruetural protein 4 regulates virus-induced membrane modifications and replication complex function显示文摘	Gadlage M J Sparks J S Beachboard D C	2010	J Virol2010，84，1：	1
	10	Single Event Transient PalseWidths in Digital Microcircuits 显示文摘	Gadlage M 1 Schrimpf R D Benedetto J M	2004	IEEE Transactions on Nuclear Science2004，51，6：	1
	11	Influence of N-well contact area on the pulse width of single-event transients显示文摘	Ahlbin J R Atkinson N M Gadlage M J	2011	IEEE Transactions on Nuclear Science2011，58，6：	1
	12	Independent meosurement of SET puls widths from N-Hits and P-Hits in65-nm CMOS显示文摘	Jagannathan S Gadlage M J Bhuva B L	2010	IEEE Transactions on Nuclear Science2010，57，6：	1
	13	Single event transient pulse widths in digital microcircuits显示文摘	GADLAGE M J SCHRIMPF R D BENEDETTO J M	2004	IEEE Transactions on Nu- clear Science2004，51，6：	1
	14	Effect of multiple-transistor charge collection on sin- gle-event transient pulse widths显示文摘	Ahlbin J R Gadlage M J Atkinson N M	2011	Device & Mat Reliability IEEE Trans2011，11，3：	1
	15	The effect of layout topology on single-event transient pulse quenching in a 65 nm bulk CMOS process显示文摘	Ahlbin J R Gadlage M J Ball D R		0，，06：	1

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