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2篇 您的检索式：作者名="Raid A. Ismail"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Growth and Characterization of Cu2O Films Made by Rapid Thermal Oxidation Technique显示文摘Cu2O 薄电影与(111 ) 比较喜欢取向被 Cu 的快速的热氧化为 45 s 在 500 度 C 在玻璃 andCu 底层上种了。光乐队差距精力被决定由光谱发射度和吸收度到的数据是 2.04 eV。成年电影的电的传导性被测量在附近(1.1 x 10 (在这部电影的 300 K.Thermoelectric 力量大小的 -5)Omega(-1)cm(-1)) 被执行。而且,这些电影的性质与另外的方法获得的 Cu2O 的性质相比。	Raid A. Ismail Ibrahim Ramadhan Aseel Mustafa	2005	Chinese Physics Letters2005，22，11：	1
	2	Amorphous/Crystalline (n-n) Si Heterojunction Photodetector Made by Q-Switched 0.532-mm Laser Pulses with Novel Technique显示文摘Amorphouslcrystalline n-n-isotype Si 异质接面被切换 pulsedQ 的秒泛音产生 Nd 做: 钇铝柘榴石激光。这个过程包括融化,由激光的单音的水晶的 Si 的薄前面层的随后快的团结搏动创造非结晶的层(阶段转变) 。不同激光能量密度被用来在单音的水晶的 Si 底层上形成非结晶的层,异质接面的电的特征的结果强烈依赖于激光能量密度。Optoelectronic 推进系住例如当前电压,电容电压,并且光谱敏感在 a-Si/c-Siheterojunctions 被测量(当反映反的涂层和正面的格子接触不在时) 由不同激光能量密度准备了。从 current-voltagemeasurements 提取的 built-in-potential 价值接近出版结果(n-P ) 发光分泌物和血浆做的 amorphouslcrystalline 异质接面提高了化学蒸汽免职。而且, Si 表面上的非结晶的模式的形成的检查在光显微镜学的帮助下被执行。最好的光电的性能被认出在 5.6 J/cm (2 ) 。光电探测器表演一宽光谱反应,和山峰反应在 780nm。在另一方面,这座山峰独立于激光能量。	Raid A. Ismail Kadhim A. Hubeatir Abdullah K. Abass	2006	Chinese Physics Letters2006，23，2：	0

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