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1A physical model of high temperature 4H-SiC MOSFETs显示文摘Potbhare S Goldsman N Lelis A 0,,08:1
2Numerical and experimental characterization of 4H-silicon carbide lateral metal-oxide-semiconductor field-effect transistor显示文摘POTBHARE S GOLDSMAN N PENNINGTON G 2006J Appl Phys2006,100,04:1
3A quasi-two-dimensional depth- dependent mobility model suitable for device simulation for Coulombic scattering due to interface trapped charges 显示文摘Potbhare S 2006J Appl Phys2006,100,04:1
4A physical model of high temperature 4H-SiC MOSFETs显示文摘Potbhare S Goldsman N Lelis A 2008IEEE Transactions on Electron Devices2008,55,8:1
5Numerical and experimental characterization of 4H-silicon carbide lateral metal oxide semiconductor field effect transistor 显示文摘POTBHARE S GOLDSMAN N PENNINGTON G 2006J Appl Phys2006,100,4:1
62012年伦敦奥林匹克体育场显示文摘伦敦是首个第三次举办夏季奥运会的城市,组委会想表明,伦敦有能力举办一届壮观、高效、创新的奥运会和残奥会。伦敦奥运会设计中所包含的理念是"需要为将来留下重大赛事的遗产",这需要对城市和场馆进行转型——挑战建筑持久性的理念。为了实现大型运动会体育场这一当前需求和小型场馆这一长期需求之间的平衡,Populous主张利用奥运会这一契机开发场馆设计建筑语言。Rod Sheard Philip Johnson Megan Ashfield Sang Hoon Kim Jacob Steele Gavin Robotham Mark Craine Bill Augustyn Gurminder Saraon Tom Jones Paul Foskett Belinda Goh Jamie Hay Kar Paik Soon Chinmay Potbhare Sabah Ashic Adam Doak 2012设计家2012,,4:0
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