| 1 | 高性能高应变InGaAs量子阱脊型波导半导体激光器显示文摘介绍了利用分子束外延系统生长高应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,采用脉冲阳极氧化技术制作脊型波导半导体激光器.4μm条宽脊型波导半导体激光器在室温下单面连续输出功率达到50mW.腔长600μm时,器件阈值电流密度为300A/cm2.在100mA电流下,激光器的峰值波长为1.19μm,激光器的最大斜率效率为0.45W/A.在20℃至100℃温度下,激光器的特征温度为129K. | 曲轶 J.X.Zhang A.Uddin S.M.Wang M.Sadeghi A.Larsson 薄报学 刘国军 姜会林 | 2006 | 中国科学(E辑)2006，36，3： | 0 |
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