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11篇 您的检索式：作者名="LEGOUES F K"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	New approach to the growth of low dislocation relaxed SiGe material显示文摘	POWELL A R IYER S S LEGOUES F K	1994	Appl Phys Lett1994，64，：	1
	2	Acta Metall显示文摘	Ramanujan R V Lee J K LeGoues F K	1989	37(11): 30511989，37，11：	1
	3	显示文摘	Tromp R M LeGoues F K Ho P S	1985	J Vac Sci Technol A31985，3，：	1
	4	Competing relaxation mechanisms in strained layers 显示文摘	TERSOFF J LEGOUES F K	1994	Physical Review Letters1994，72，22：	1
	5	Defect self-annihilation in surfactant-mediated epitaxial growth 显示文摘	Horn-Yon H M Legoues F K Copel M	1991	Physical Review Letters1991，67，9：	1
	6	A liquid solution synthesis of single crystal germanium quantum wires显示文摘	Heath J R LeGoues F K	1993	Chem Phys Lett1993，208，2：	1
	7	A liquid solution synthesis of single crystal germanium quantum wires显示文摘	Heath J R LeGoues F K	1993	Chem Phys Lett1993，208，34：	1
	8	A liquid solution synthesis of single crystal germanium quantum wires显示文摘	Heath J R Legoues F K	1993	Chemical Physics Letters1993，208，：	1
	9	A liquid solution synthesis of single-crystal germanium quantum wires 显示文摘	HEATH J R LEGOUES F K	1993	Chemical Physics Letters1993，208，34：	1
	10	Correlation of Schottky-barrier height and microstructure in the epitaxial Ni silicide on Si(111) 显示文摘	LIEHR M SCHMID P E LEGOUES F K	1985	Phys Rev Lett1985，54，19：	1
	11	Oxidation studies of SiGe显示文摘	LeGoues F K Rosenberg R Nguyen T	1989	J Appl Phys1989，65，4：	1

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