| 1 | A Novel Design and Fabrication of Magnetic Random Access Memory Based on Nano-ring-type Magnetic Tunnel Junctions显示文摘有层的 Nano-ring-type 磁性的隧道连接( NR-MTJs )组织 ofTa ( 5 )/Ir_( 22 )Mn_( 78 )( 10 )/Co_( 75 )Fe_( 25 )( 2 ) /Ru ( 0.75 )/Co_( 60 )Fe_( 20 )B_( 20 )( 3 ) /AI ( 0.6 ) -oxide/Co_(60)Fe_(20)B_(20)(2.5)/Ta(3)/Ru(5)(thickness unit:nm )在磁控管劈啪作响免职与光平版印刷术,电子 beamlithography ( EBL )和蚀刻 techniques.The 的 Ar 离子横梁相结合的 Si ( 100 ) /SiO2 substrateusing 上是 制作nano 的有约 50 和 100 nm 并且也的 inner-andouter-diameter 的更小的 NR-MTJs 他们的 | X.F.Han H.X.Wei Z.L.Peng H.D.Yang J.F.Feng G.X.Du Z.B.Sun L.X.Jiang Q.H.Qin M.Ma Y.Wang Z.C.Wen D.P.Liu W.S.Zhan State | 2007 | Journal of Materials Science & Technology2007，23，3： | 4 |
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