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25篇 您的检索式：作者名="KOUDYMOV"

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	题名	作者	年代	出处	被引量
1	Power stability of AlGaN/GaN HFETs at 20 W/mm in the pinched-off operation mode显示文摘	KOUDYMOV A WANG C X ADIVARAHAN V	2007	IEEE Electron Device Lett2007，28，1：	1
2	Induced strain mechanism of current collapse in AlGaN/GaN heterostructure fieldeffect transistors显示文摘	SIMIN G KOUDYMOV A TARAKJI A	2001	ApplPhysLett2001，79，16：	1
3	High-temperature performance of AIGaN/Gan MOS HFET显示文摘	TARAKJI A HU X KOUDYMOV A	2001	Phys Stat Sol (A)2001，188，1：	1
4	Si3N4/AIGaN/ GaN metal insulator semiconductor heterosturcture field effect transistors显示文摘	HU X KoUDYMOV A SIMIN G	2001	Appl Phys Lett2001，79，：	1
5	Induced strain mechanism of current collapse in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors显示文摘	Koudymov A Tarakji A	2001	Appl Phys Lett2001，79，：	1
6	Thermal management of AIGaN-GaN HFETs on sapphire using flip-chip bonding with epoxy underfill显示文摘	SUN J FATIMA H KOUDYMOV A	2003	IEEE Electron Device Letters2003，24，6：	1
7	Power stability of AlGaN/GaN HFETs at 20 W/mm in the pinched-off operation Mode显示文摘	KOUDYMOV A WANG C X ADIVARAHAN V	2007	IEEE Electron Device Lett2007，28，1：	1
8	Mechanism of current collapse removal in field-plated nitride HFETs 显示文摘	KOUDYMOV A ADIVARAHAN V YANG J	2005	IEEE Electron Device Lett2005，26，10：	1
9	Stable CW operation of field-plated GaN-AIGaN MOSHFETs at 19 W/mm显示文摘	ADIVARAHAN V YANG J KOUDYMOV A	2005	IEEE Transactions on Electron Devices2005，26，8：	1
10	Mecha- nism of current collapse removal in field-plated nitride HFETs显示文摘	Koudymov A Adivarahan V Yang J	2005	IEEE Electron Device Lett2005，26，10：	1
11	Induced strain mechanism of current collapse in AlGaN/GaN heterostructructure filed-effect transisitors显示文摘	SIMIN G KOUDYMOV TARAKJI A	2001	Appl Phys Lett2001，79，16：	1
12	Mecha- nism of current collapse removal in field-plated nitride HFETs 显示文摘	KOUDYMOV A ADIVARAHAN V YANG J	2005	IEEE Electron Device Lett2005，26，10：	1
13	Mechanism of current collapse removal in field-plated nitride HFETs 显示文摘	Koudymov A Adivarahan V Yang J	2005	IEEE Electron Device Lett2005，26，10：	1
14	Si3N4/AlGaN/GaN-metal-insulator-semiconductor heterostructure field -effect transistors显示文摘	HU X KOUDYMOV A SIMIN G	2001	Appl Phys Lett2001，79，17：	1
15	Compact model of current collapse in heterostructure field-effect transistors 显示文摘	KOUDYMOV A SHUR M S SIMIN G	2007	Electron Device Letters IEEE2007，28，5：	1
16	Selectively doped high-power AlGaN/InGaN/GaN MOSDHFET 显示文摘	ADIVARAHAN V GAEVSKI M KOUDYMOV A	2007	ElectronDevice Letters IEEE2007，28，3：	1
17	Si3N4/AlGaN/ GaN- metal- insulator- semiconductor heterostructure field- effect transistors显示文摘	Hu X Koudymov A Simin G	2001	Appl Phys Lett2001，79，：	1
18	Mechanism of radio-frequency current collapse in GaN-AlGaN field-effect transistors显示文摘	Simin G Koudymov A Tarakji A	2001	Appl Phys Lett2001，78，15：	1
19	Induced strain mechanism of current collapse in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors显示文摘	SIMIN G KOUDYMOV A TARAKJI A	2001	Applied Physics Letters2001，79，16：	1
20	Induced strain mechanism of current collapse in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors显示文摘	SIMIN G KOUDYMOV A TARAKJI A	2001	Appl Phys Lett2001，79，16：	1

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