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7篇 您的检索式：作者名="KAPPER T J"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Geneticengineering of terpenoid metabolism attracts bodyguards toArabidopsis显示文摘	Kappers I F Aharoni A van Herpen T W J M	2005	Science2005，309，5743：	1
	2	显示文摘	Vickers M E Kappers M J Smeeton T M	2003	J Appl Phys2003，94，：	1
	3	Large stable pulse solutions in reaction-diffusion equations显示文摘	DOELMAN A GARDNER R A KAPPER T J	2001	Indiana University Mathematics Journal2001，50，：	1
	4	Growth of dislocation-free GaN islands on Si ( 111 ) using a scandium nitride buffer layer 显示文摘	MORAM M A KAPPERS M J JOYCE T B	2007	J Cryst Growth2007，308，2：	1
	5	The effect of temperature and ammonia flux on the surface morphology and composition of Ins All-x N epitaxial lay- ers显示文摘	SADLER T C KAPPERS M J OLIVER R A	2009	Journal of Crystal Growth2009，311，12：	1
	6	Genetic engineering of terpenoid metabolism attracts bodyguards to arabidopsis 显示文摘	Kappers I F Aharoni A Van Herpen T W J M	2005	Science2005，309，：	1
	7	用于Ⅲ族氮化物生长的紧配合喷淋头反应器显示文摘在紫外和可见光电子器件、高温电子学器件、冷阴极和太阳防护探测器的应用中,Ⅲ族氮化物是一类重要的材料.近年来,氮化物基的LED的制备成功,具有提供白光照明代替白炽灯和荧光灯的潜在能力.人们对用MOCVD方法生长GaN基材料的兴趣日益高涨,特别是对多片、均匀生长的大尺寸反应器的要求日益迫切.本文概述了紧配合喷淋头反应器的设计思想和其特性.结合Ⅲ族氮化物生长对设备的相关要求,给出了这种设备运行的一些结果.这些结果表明,这种紧配合喷淋头反应器很适合在研究和产品生产中的GaN基材料结构的生长.	Thrush E J Considine L Mullins J T Saywell V Bentham F C Sharma N Humphreys C J Kappers M	2001	发光学报2001，22，z1：	0

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