3篇
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| 1 | High Performance Multi‐Level Non‐Volatile Polymer Memory with Solution‐Blended Ferroelectric Polymer/High‐ k Insulators for Low Voltage Operation显示文摘 | Sun Kak Hwang Insung Bae Suk Man Cho Richard Hahnkee Kim Hee Joon Jung Cheolmin Park | 2013 | Adv. Funct. Mater2013，，44： | 1 |
| 2 | Flexible Non‐Volatile Ferroelectric Polymer Memory with Gate‐Controlled Multilevel Operation显示文摘 | Sun Kak Hwang Insung Bae Richard Hahnkee Kim Cheolmin Park | 2012 | Adv. Mater2012，，44： | 1 |
| 3 | Design and roles of RGO-wrapping in charge transfer and surface passivation in photoelectrochemical enhancement of cascade-band photoanode显示文摘快电荷转移和 anti-photocorrosion 是为为 photoelectrochemical (PEC ) 开发有效、持久的 photoanodes 的二个关键因素房间。减少的 graphene 氧化物(RGO ) 是能提供的一个有希望的 photoanode 元素这两。在这研究,我们阐明了在电荷转移和由包 RGO 的 photoanode 的精确设计和它的 PEC 性质的检查的 photoanodes 的表面钝化的 RGO 的角色。有三个不同图案的 hetero-nanorods (HNR ) 的数组作为积木用 RGO, CdSe nanoparticles (NP ) ,和 ZnO nanorods (NR ) 作为 photoanodes 被制作。CdSe@ZnO HNR 被与 CdSe NP 装饰 ZnO NR 准备。有限元素的分析和试验性的研究证明在 CdSe@ZnO HNR,真希望, ZnO NR 被 RGO 包,在 CdSe 和 ZnO 之间的电导率被 RGO 提高到梭费用。如果 RGO 仅仅包围了 CdSe@ZnO HNR 的外面,腐蚀由于 RGO 的钝化效果被减缓,它增加了 photoanode 的电子一生。如果 CdSe 和 ZnO 被 RGO 充分包,二个上述的盒子的优点两个都被获得。有控制位置的图案的包 RGO 的 CdSe@ZnO HNR 与高 PEC 效率,和发达合成正在答应 photoanode 材料过程能被使用作为一块积木用 RGO 探索下一代的 photoanodes 的设计和制造。 | Zhuo Zhang Mingi Choi Minki Baek Insung Hwang Changshin Cho Zexiang Deng Jinwoo Lee Kijung Yong | 2017 | Nano Research2017，10，7： | 0 |
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