1篇
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| 1 | Self-assembled formation of long, thin, and uncoalesced GaN nanowires on crystalline TiN films显示文摘我们详细调查自我装配的成核和生长垂直地面向在水晶的听电影上由分子的横梁取向附生轧了 nanowires。我们证明这类底层允许生长长、薄轧了不受不了结合的 nanowires,对 Si 和另外的底层上的生长普通的一个问题。仅仅在取决于 nanowire 密度并且这里超过 1.5 m 的某个 nanowire 长度以外,结合由捆绑发生,即象在 Si 上的一样的过程。由分析最近的邻居距离分发,我们作为在锡上在成核期间限制 nanowire 密度的主要机制识别附近的 nanowires 的导致散开的排斥。后来,在 Si 上,最后的密度被侵犯的 shadowing 决定由存在 nanowires 的分子的横梁,它是在在锡上与减少的密度启用 nanowire 整体的形成的 adatom 表面散开的差别。这些 nanowire 整体联合在新窗户中为核心壳 heterostructures.Open | David van Treeck Gabriele Calabrese Jelle J. W. Goertz Vladimir M. Kaganer Oliver Brandt Sergio Fernandez-Garrido, Lutz Geelhaar | 2018 | Nano Research2018，11，1： | 0 |
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