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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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13篇 您的检索式：作者名="DOPPALAPUDi D"
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1Phase separation and ordering in InGaN alloys grown by molecular beam epitaxy 显示文摘DOPPALAPUDI D BASU S N LUDWIG K F 1998Appl Phys Lett1998，84，：1
2Domain structure in chemically ordered InxGa1-xN alloys grown by molecular beam epitaxy 显示文摘DOPPALAPUDi D BASU S N MOUSTAKAS T D 1999Appl Phys Lett1999，85，：1
3A genet- ic algorithm for designing constellations with low error floors 显示文摘Valenti M C Doppalapudi R Torrieri D 2008IEEE Conference on Information Sciences and Systems 1155 - 1160 Mar2008，2008，：1
4Phase sep- aration in InGaN thick films and formation of InGaN/ GaN double heterostructures in the entire alloy composi- tion显示文摘Singh R Doppalapudi D Moustakas T D 1997Applied Physics Letters1997，70，9：1
5Phase separation in InGaN thick films and formation of InGaN/ GaN double heterostructures in the entire alloy composition 显示文摘SINGH R DOPPALAPUDI D MOUSTAKAS T D 1997Applied Physics Letters1997，70，9：1
6Scatteringof Electrons at Threading Dislocations in GaN显示文摘Weimann N G Eastman L F Doppalapudi D 1998J ApplPhys1998，83，7：1
7The role of dislocation scattering in n-type GaN films 显示文摘Ng H M Doppalapudi D Moustakas T D 1988J Appl Phys1988，73，6：1
8显示文摘Doppalapudi D Iliopoulos E Basu S N 1999J Appl Phys1999，85，：1
9Epitaxial growth of gallium nitride thin films on A-plane sapphireby mole-cular beam epitaxy 显示文摘DOPPALAPUDI D ILIOPOULOS E BASU S N 1999J Appl Phys1999，85，7：1
10Distributed bragg reflectors based on AlN/GaN muitilayers显示文摘 DOPPALAPUDI D IIIOPOULOS E 1999Appl Phys Lett1999，74，：1
11Scattering of Electrons at Threading Dislocations in GaN显示文摘Weimann N G Eastman L F Doppalapudi D 1998J Appl Phys1998，83，7：1
12Chemical generation of bispecific antibodies 显示文摘Doppalapudi VR Huang J Liu D 2010Proc Natl Acad Sci USA2010，107，22：1
13Epitaxial growth of gallium nitride thin films on A-plane sapphire by molecular beam epitaxy显示文摘Doppalapudi D Iliopoulos E Basu S N 1999J Appl Phys1999，85，7：1
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