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11篇 您的检索式：作者名="DAPKUS P D"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Continuous room-temperature operation of optically pumped InGaAs/InGaAsP microdisk lasers显示文摘	Thiyagarajan S M K Levi A F J Lin C K Dapkus P D Pearton S J	1998	IEE Electron Lett1998，34，：	1
	2	Vertical Resonant Couplers with Precise Coupling Efficiency Control Fabricated by Wafer Bonding显示文摘	TISHININ D V DAPKUS P D BOND A E	1999	IEEE Photonics Technology Letters1999，11，8：	1
	3	Optimizing N-p-n and P-n-p heterojunetion bipolar transistors for speed 显示文摘	Sunderland D A Dapkus P L	1987	IEEE Trans Electron Devices1987，34，：	1
	4	Luminescence-Time-Response Measurements and the Strength of Hole Capture at the Zn-O Impurity Complex in GaP 显示文摘	J S Jayson R Z Bachrach P D Dapkus	1973	Phys Rev1973，6，：	1
	5	Atomic layer epitaxy for the growth of heterostructure devices显示文摘	Denbaars S F Dapkus P D Beyler C A	1988	J Cryst Growth1988，93，：	1
	6	Lateral epitaxy overgrowth of GaN with NH3 flow rate modulation 显示文摘	X Zhang P D Dapkus D H Rich	2000	Appl Phys Lett2000，77，10：	1
	7	Reflectance-difference spectroscopy study of surface reactions in atomic layer epitaxy of GaAs using trimethylgallium and tertiarybutylarsine显示文摘	Maa B Y Dapkus P D	1991	Appl Phys Lett1991，58，20：	1
	8	Microdisk tunable resonant filters and switches 显示文摘	K Djordjev S J Choi P D Dapkus	2002	IEEE Phot Technol Lett2002，14，6：	1
	9	Vertically coupled InP microdisk switching devices with electro absorptive active regions 显示文摘	K Djordjev S J Choi P D Dapkus	2002	IEEE Phot Technol Lett2002，14，8：	1
	10	Ultralow threshold current vertical-cavity surfaceemitting lasers with AlAs oxide Gas distributed Bragg reflectors显示文摘	MACDOUGAL M H DAPKUS P D PUDIKOV V	1995	IEEE Photonics Technol Lett1995，7，3：	1
	11	Homogeneous and heterogeneous thermal decomposition rates of trimethyl gallium and arsine and their relevance to the growth of GaAs by MOCVD显示文摘	DenBaars S P Maa B Y Dapkus P D	1986	J Cryst Growth1986，77，13：	1

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