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14篇 您的检索式：作者名="BREMSER T"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Dislocation density reduction via lateral epitaxy in selectively grown GaN structures显示文摘	Zheleva T S Nam O Bremser M D	1997	Appl Phys Lett1997，71，：	1
	2	Dislocation density reduetior via lateral expitaxy in selectively grow GaN structures显示文摘	ZHELEVA T S NAM O H BREMSER M D	1997	Appl Phys Lett1997，71，：	1
	3	Dis- location density reduction via lateral epitaxy in selectively grown GaN structures 显示文摘	ZHELEVA T S NAM O BREMSER M D	1997	Applied Physics Letters1997，71，17：	1
	4	Disloca-tion Density Reduction Via Lateral Epitaxy in SelectivelyGrown GaN Structures 显示文摘	ZHELEVA T S NAM 0 H BREMSER M D	1997	Applied Physics Letters1997，71，17：	1
	5	Development and certification of a reference material for Fusarium mycotoxins in wheat flour 显示文摘	KSppen R Bremser W Rasenko T	2013	Analytical and Bioanalytical Chemistry2013，405，14：	1
	6	Rheology of small spherical polystyrene microgels: a direct proof for a new transport mechanism in bulk polymers besides reptation显示文摘	ANTONIETTI M PAKULA T BREMSER W	1995	Macromolecules1995，28，12：	1
	7	Lateral epitaxy of low defect density GaN layers via organometallic vapor phase epitaxy 显示文摘	NAM O H BREMSER M D ZHELEVA T S	1997	Appl Phys Lett1997，71，18：	1
	8	GaN thin films deposited via organometallic vapor phase epitaxy on alpha (6H)-SIC (0001) using high- temperature monocrystalline A1N buffer Layers 显示文摘	WEEKS W BREMSER T AILEY M D	1995	Appl Phys Lett1995，67，3：	1
	9	Rheology of small spherical polystyrene microgels-a direct proof for a new transport mechanism in bulk polymers besides reptation 显示文摘	Antonietti M Pakula T Bremser W	1999	Macromolecules1999，28，12：	1
	10	显示文摘	O H Bremser M D Zheleva T S	1997	Appl Phys Lett1997，71，：	1
	11	GaN grown on two-step cleaned C-terminated 6H-SiC by molecular-beam epitaxy显示文摘	Davis R F Weeks T W Bremser M D	1996	Mater Res Soc Symp Proc1996，395，：	1
	12	Correlation of biaxial strains, bound exciton energies, and defect microstructures in GaN films grown on AlN/6H- SIC(0001) substrates显示文摘	Willian G Perry T Zheleva M D Bremser	1997	Journal of Electronics Material1997，36，：	1
	13	Lateral epitaxy of low defect density GaN layers via organometallic vapor phase epitaxy显示文摘	N am O H Bremser M D Zheleva T S	1997	Appl Phys Lett1997，71，18：	1
	14	Thin films of aluminum nitride and aluminum galliumnitride for cold cathode applications 显示文摘	Sowers A T Christman J A Bremser M D	2001	Appl PhysLett2001，71，16：	1

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