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36篇 您的检索式：作者名="BECHSTEDT F"

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	题名	作者	年代	出处	被引量
1	Pressure dependence of the dielectric and lattice-dynamical properties of GaN and AlN显示文摘	Wagner J M Bechstedt F	2000	Physical Review B2000，62，7：	1
2	Heterocrystalline Structures: New Types of Superlattices?显示文摘	Bechstedt F Kackell P	1995	Phys Rev Lett1995，75，：	1
3	查看详情显示文摘	Wagner J M Bechstedt F		0，，：	1
4	显示文摘	Wagner J M Bechstedt F	2002	Phys Rev B2002，66，11：	1
5	Excitons in T-shaped quantum wires显示文摘	Glutsch S Bechstedt F Wegscheider W	1997	Phys Rev1997，56，41：	1
6	Ab initio lattice dynamics of BN and AIN: Covalent versus ionic forces显示文摘	KARCH K BECHSTEDT F	1997	Phys Rev B1997，56，：	1
7	显示文摘	Karch K Bechstedt F Pletl T	1997	Phys Rev B1997，56，7：	1
8	显示文摘	Karch K Bechstedt F	1997	Phys Rev B1997，56，12：	1
9	Do We Know the Fundamental Energy Gap of InN 显示文摘	Bechstedt F Furthmuller J	2002	Journal of Crystal Growth2002，246，：	1
10	Semiempirical van der Waals correction to the density functional description of solids and molecular structures显示文摘	ORTMANN F BECHSTEDT F SCHMIDT W G	2006	Phys Rev B2006，73，20：	1
11	显示文摘	Wagner J M Bechstedt F	2000	Phys Rev B2000，62，7：	1
12	Pressure Dependence of Dynamical and Dielectric Properties of 3C and 4H Silicon Carbide 显示文摘	Karchand K Bechstedt F	1996	Europhysics Letters1996，35，3：	1
13	Pressure Dependence of the Dielectric and Lattice-Dynamical Properties of GaN and A1N 显示文摘	Wagner J M Bechstedt F	2000	Phys RevB2000，62，7：	1
14	Lattice dynamics of GaN:Effects of 3d electrons 显示文摘	KARCH K BECHSTEDT F PLETL T	1997	Phys Rev B1997，56，：	1
15	Characteristics ofsmall - and large-polaron motion in organic crystals 显示文摘	Ortmann F Bechstedt F Hannewald K	2010	Journal of Physics : Condensed Matter2010，22，46：	1
16	Extreme softening of Vanderbilt pseudopotentials: General rules and case studies of first-row and d-electron elements 显示文摘	FURTHMULLER J KACHELL P BECHSTEDT F	2000	Phys Rev B2000，61，7：	1
17	Influence ofpolytypism on thermal properties of silicon carbide 显示文摘	ZYWIETZ A KARCH K BECHSTEDT F	1996	Phys Rev B1996，54，3：	1
18	Lattice dynamics of GaN:effects of 3d electrons显示文摘	Karch K Bechstedt F Pletl T	1997	Phys Rev1997，56，3：	1
19	High-precision determination of atomic positions in crystals: The case of 6H- and 4H-SiC显示文摘	BAUER A KRAUBLICH J DRESSLER L KUSCHNERUS P WOLF J GOETZ K KACKELL P FURTHMULLER J AND BECHSTEDT F	1998	Physical Review B1998，57，5：	1
20	Polytypism and properties of silicon carbide显示文摘	Kackell P Zywietz A	1997	Physica Status Solidi (b)1997，202，1：	1

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