ULSI硅衬底的化学机械抛光

查看全文 作　　者：[1]张楷亮 [1]刘玉岭索引[2]王芳 [1]李志国 [1]韩党辉

机构地区：[1]河北工业大学微电子技术与材料研究所,天津300130;[2]天津理工学院光电信息系,天津300191

出　　处：《Journal of Semiconductors》索引2004年第25卷第1期,共5页

基　　金：国家科技型中小企业技术创新基金 (编号 :0 0 C2 62 112 0 0 92 5 );天津市科技攻关 (编号 :0 13 180 3 11)资助项目~~ 摘　　要：在分析 UL SI中硅衬底 CMP的动力学过程基础上 ,提出了在机械研磨去除产物过程中 ,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程 ,从而提高抛光效率 .在对不同粒径分散度的硅溶胶抛光液进行比较后提出了参与机械研磨的有效粒子数才是机械研磨过程的重要因素 ,而不是单纯受粒径大小的影响 .分析和讨论了 CMP工艺中的几个影响因素 ,如粒径大小与分散度、p H值、温度、流量和浓度等 .采用含表面活性剂和螯合剂的清洗液进行抛光后清洗 ,表面颗粒数优于国际 SEMI标准。 关键词：硅衬底化学机械抛光(CMP) ULSI 纳米研磨料动力学过程

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