光刻掩模的静电放电损伤及其防护

查看全文 作　　者：[1]管伟;Larry [2]Levit

机构地区：[1]Ion Systems Inc.;[2]ION systems Inc.Chief Scientist

出　　处：《中国集成电路》索引2005年第14卷第10期,共6页

摘　　要：半导体集成电路制造中,光刻工艺是整个制造过程中的核心技术。而光刻掩模(Reticle,Photomask)则为光刻技术中的最为关键的部件。随着半导体生产技术的不断提升,光刻掩模对静电放电敏感度也越来越高,如何防护光刻掩模避免遭受静电放电的损坏,已成为目前半导体集成电路制造中的一项挑战。 关键词：静电放电敏感度光刻掩模防护半导体生产技术电损伤集成电路制造光刻技术制造过程光刻工艺

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